RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
3809
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link