RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3837
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link