RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3375
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link