RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3375
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link