RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3375
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link