RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 28
    Около 14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 8.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 13.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 8.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2443

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
модули RAM
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
модули RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
модули RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
модули RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
модули RAM