RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2443
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link