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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Comparez
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Note globale
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Différences
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Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
40
Autour de -38% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2097
2419
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calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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