RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
56
Autour de -115% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
3938
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link