RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
56
Autour de -81% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
3318
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link