RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
56
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
3318
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Lenovo 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link