RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
56
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
3318
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link