RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
52
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
4200
Autour de 6.1 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
25600
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3367
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link