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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
4200
左右 6.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
2,614.5
20.6
写入速度,GB/s
1,145.9
14.7
内存带宽,mbps
4200
25600
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3367
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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