RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
66
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3649
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link