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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de -92% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2445
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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