RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2445
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link