RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
46
Autour de -18% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2571
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link