RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2104
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link