RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2104
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link