RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3580
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link