RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
59
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2813
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link