RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
64
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3726
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link