RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
64
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
16.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3726
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link