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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
64
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
32
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3726
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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