RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
64
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3726
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link