RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
65
Wokół strony -242% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link