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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
65
Intorno -242% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.0
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
19
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
18.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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