RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
65
Около -242% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
18.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link