RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2104
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link