RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Comparez
AMD AE34G1601U1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Note globale
AMD AE34G1601U1 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD AE34G1601U1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
67
122
Autour de 45% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.8
3.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
67
122
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
3.6
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
998
1411
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaison des RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link