RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
AMD AE34G1601U1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
AMD AE34G1601U1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD AE34G1601U1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
122
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.8
3.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
67
122
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
3.6
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
998
1411
AMD AE34G1601U1 4GB Porównanie pamięci RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link