RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
80
Autour de 76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
80
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
1564
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link