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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
80
左右 76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
80
读取速度,GB/s
18.4
14.1
写入速度,GB/s
12.3
7.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
1564
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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