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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Comparez
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Note globale
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Note globale
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2634
2560
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaison des RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-075.A00G 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
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