Comparaison de la RAM Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Note globale

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

35 74

Autour de 53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.4 13.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.5 7.7

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 10600

Autour de 2.01 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2321 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns