RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 74
    Около 53% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.4 left arrow 13.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.5 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 74
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.4 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.5 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2321 left arrow 1616

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
модули RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
модули RAM
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
модули RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
модули RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
модули RAM