Confronto tra le RAM Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

35 74

Intorno 53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.4 13.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.5 7.7

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 10600

Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2321 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns