RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
57
Autour de 54% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
57
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2792
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link