RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
57
Около 54% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
57
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2792
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link