RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
57
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
57
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2792
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link