RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2830
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link