RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3141
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link