RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3141
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link