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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
33
Velocità di lettura, GB/s
12.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3141
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
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