Comparaison de la RAM Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 37

Autour de 27% latence réduite

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16 12.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.6 6.7

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 10600

Autour de 1.81 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2045 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns