RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 37
    Около 27% меньшая задержка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.6 left arrow 6.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.8 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.7 left arrow 12.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2045 left arrow 2808

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM

Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения