RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparez
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Note globale
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2278
3318
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link