RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2278
3318
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link