RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
81
Autour de 52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
81
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2355
1651
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link