RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
81
Autour de 52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
81
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2355
1651
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link