RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB против Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
81
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
81
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
8.5
Скорость записи, Гб/сек
8.8
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2355
1651
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link