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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparar
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
81
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
81
Velocidade de leitura, GB/s
14.6
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
5.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2355
1651
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
SK Hynix 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
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